新型内存“DRAM+"或将问世，拥有内存的速度和闪存的持久性

据媒体披露，Ferroelectric Memory Co.（简称FMC）与Neumonda公司近期达成合作，双方将携手推动一种创新型内存架构——“DRAM+”的商业化进程。

DRAM+技术融合了DRAM的高速度与非易失性存储的优点，有效填补了高速DRAM与NAND闪存等存储技术之间的性能鸿沟。该技术的核心创新在于采用铁电氧化铪（HfO2）元件替代传统DRAM中的电容器，实现了在无电源供应下也能持久保存数据，同时保持纳秒级的快速访问速度。

相较于过往采用的锆钛酸铅（PZT）材料，HfO2展现出更优越的可扩展性，能够无缝融入现有半导体制造工艺，支持10纳米以下先进制程，并实现千兆位级的高密度存储。

FMC的DRAM+技术主要瞄准对持久性、低功耗及高性能有严格要求的特定应用场景，如AI加速器、汽车电子控制单元（ECU）以及医疗植入设备等。该技术通过取消传统刷新周期，显著降低了静态功耗，相较于传统DRAM单元具有显著优势。

目前，Neumonda已承诺为FMC提供其先进的测试平台Rhinoe和Octopus Raptor，但双方尚未公布DRAM+产品的具体上市时间表。

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